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PN8390集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置 电源。PN8390为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现系统空载待机损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式...
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PN8611集成待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于性能高、外围元器件较简的充电器、适配器和内置电源。PN8611为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式...
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PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术...
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PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块，实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注：可替代进口品牌OB,替代型号：OB2...
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PN8571集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT，用于低成本、外围元器件的充电器、适配器和内置电源。PN8571为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过C...
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PN8024A芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率反激原边反馈开关电源。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，过载保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
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PN8370F集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于性能高、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370F为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统...
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AP8506基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
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PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块，实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
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AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8006内置高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于EMI特性。
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PN6770H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6770H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足 6级...
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PN6780H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6780H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能...
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PN6775H集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调...
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AP8507基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8507内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。
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PN8395H集成待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8395H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用...
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AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8005A内置500V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8005A的降频调制技术有助于EM...
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PN8505A基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及550V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8505A内置550V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8505A具有优异的EMI特性。
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PN8200是一款具有两个端子的X电容放电用芯片，其待机损耗低同时能够满足电源系统的安规标准。PN8200内置了两个高压VDMOS开关，可有效的保护芯片避免雷击或浪涌的应力。芯片通过两个放电电阻接入到开关电源的交流输入端，当AC电压接入时，会有低的电流流进芯片，芯片的待机损耗功率在5mW以内，当AC电压断电后...
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PN6775集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调...
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MD70H集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT,用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源. MD70H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431.在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可...
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