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一 概述
PN6770H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6770H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
二 特性
■ 内置750V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 内置启动电路,小于50mW空载损耗(230VAC)
■ 采用多模式技术,满足6级能效标准
■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■ 原边反馈可省光耦和TL431
■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■ 无需额外补偿电容
■ 无音频噪声
■ 智能保护功能
--过温保护(OTP)
--VDD欠压&过压保护(UVLO&OVP)
--逐周期过流保护(OCP)
--CS开/短路保护(CS O/SP)
--开环保护(OLP)
三 应用
■ 开关电源适配器
■ 电池充电器
■ 机顶盒电源
四 封装
五 应用电路图
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