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一 概述
PN8611集成待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于性能高、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8611为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,内置输出线补偿功能使系统获得好的负载调整率。该芯片提供了智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护和输出短路保护等。
二 特性
*内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
*内置启动电路,小于50mW空载损耗(230VAC)
*采用多模式技术提升效率,满足6级能效标准
*全电压输入范围±5%的CC/CV精度
*原边反馈可省光耦和TL431
*无需电流采样电阻、FB反馈下电阻、VDD供电二极管
*无需额外补偿电容
*无音频噪声
*智能保护功能
*过温保护(OTP)
*VDD欠压&过压保护(UVLO&OVP)
*逐周期过流保护(OCP)
*开环保护(OLP)
三 封装
四 应用电路图
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