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一 概述
PN8390集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8390为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路,可实现系统空载待机损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用准谐振、多模式技术共同音频噪声,使得系统满足6级能效标准,而特有频率抖动技术可实现较好的 EMI特性;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等,同时还集成AC电压欠压保护功能,可通过FB分压电阻调节。
二 特性
*内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
*内置高压启动电路,小于50mW待机损耗(230VAC)
*支持CCM和DCM两种工作模式
*采用准谐振与多模式技术提高效率,满足6级能效标准
*采用斜坡补偿技术,无次谐波振荡
*电压输入范围±5%的CC/CV精度
*原边反馈可省光耦和TL431
*恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*无需额外补偿电容、无音频噪声智能保护功能
*过温保护(OTP)
*VDD欠压&过压保护(UVLO&OVP)
*逐周期过流保护
*CS开/短路保护(CSO/SP)
*开环保护
*AC电压欠压保护(BO)
三 封装
四 应用电路图
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