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SVS11N60T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器高功率密度，提高热行为。

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SJT13005NT/D/F/M NPN型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造。该系列产品主要应用在应用整流器等。

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亚洲导航亚洲日韩采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造。该系列产品主要应用在电子整流器、节能灯、高频开关电源、高频功率转换、功率放大电路。 SJT13005N1MJ/NF/D NPN三极管目前可提供TO-251J-3L,TO-126-3L,TO-252-2L封装外形。

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SJT3003NDB/N NPN 型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造。该系列产品主要应用在电子整流器等。 SJT13003NDB/N 三极管目前可提供TO-92-3L和TO-126-3L 封装外形。

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SD6953是驱动高压三极管的原边控制模式的开关电源控制器（PSR），内置线损补偿和峰值电流补偿功能，采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC）控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率。

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SBD10L45T3硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，采用TO-277封装，广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。

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