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产品分类：亚色影库管

SVS6N60F/D/T/M/MJ N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。

订购热线： 400-788-7770

: 45V 15A肖特基二极管芯片; GDM229045MA是采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片，损耗功率小，效率高，高ESD能力，高抗浪涌电流能力，具有瞬态反应保护能力的保护环结构，广泛应用于太阳能电池保护电路等各类电子线路中。

: 20A、100V肖特基整流管--SBD20C100T/F; SBD20C100T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。

6A ，600V DP MOS功率管

型号：SVS6N60F/D/T/M/MJ

一、描述

SVS6N60F/D/T/M/MJ N 沟道增强高压功率 MOSFET 采用士兰微电子 DPMOS 技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外， SVS6N60F/D/T/M/MJ 应用广泛。如，适用于硬 / 软开关拓补。

二、特点

6A,600V,R_DS(on)(典型值)=0.6Ω@V_GS=10V

创新高压技术

低栅极电荷

定期额定雪崩

较强 dv/dt 能力

高电流峰值

三、最大参数

四、封装

SVS6N60D 封装

全国咨询热线：400-788-7770

销售部电话：0769-81150556

工程部电话：0769-85638990 手机：18923224605 叶小姐

邮箱：[email protected] QQ：1923681612 传真：0769-83351643

总部地址：东莞市大岭山镇矮岭冚村沿河东街8号

佛山办事处：佛山市顺德区容桂镇细滘德宝北路合安街19号

中铭官网： www.bsnbp.sbs

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