6A ,700V DP MOS功率管
型号:SVS6N70M/MJ/D
一、描述
SVS6N70M/MJ/D N 沟道增强高压功率 MOSFET 采用士兰微电子 DPMOS 技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外, SVS6N70M/MJ/D 应用广泛。如,适用于硬 / 软开关拓补。
二、特点
6A,700V,R_DS(on)(典型值)=1.05Ω@V_GS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强 dv/dt 能力
高电流峰值
三、最大参数
四、封装
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