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产品分类: 非隔离开关日本漫画无彩翼漫画大全
    AP8505M基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505M内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8505M具有优异的EMI特性。
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    自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
    自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
    PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。
    低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
    低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
    PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
    外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
    外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
    AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。

      基于高压同步整流架构亚洲导航地址发布页

      一 概述

      AP8505M基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505M内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8505M具有优异的EMI特性。

      二 特性

      *内置500V高可靠性MOSFET
      *先进的高压同步整流架构
      *内置高压启动

      *适用于Buck、Buck-Boost架构
      *输出电压固定为5V
      *半封闭式稳态输出电流能力150mA @230VAC
      *改善EMI的降频调制技术
      *优异的负载调整率和工作效率
      *全面的保护功能
      --过流保护(OCP)
      --过压保护(UVLO)
      --过温保护(OTP)

      三 应用

      *非隔离辅助电源
      *家电
      *智能家居

      四 封装

      五 应用电路图

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      自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
      自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
      PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。
      低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
      低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
      PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
      外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
      外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
      AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。

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