色悠悠 - 骚萝莉v1.03

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隔离式原边反馈芯片

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隔离式次级反馈芯片

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同步整流芯片

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: QC2.0快充控制芯片--GDMC7100S(T)

: 用于多个USB端口的快充协议控制IC--IP2738

: 用于USB端口的亚色影库在线免费观看--IP2736

: 支持9种协议用于USB TypeC端口的快.充协议IC--IP2189

: 集成内置功率管，用于USB TypeC端口的快.充协议IC--IP2001

: 支持12种USB端口亚色影库在线免费观看--IP2186

: 用于USBC端口的快.充协议, 符合PD PPS 认证IC--IP2723T

: 集成多种协议、用于双端口输出的协议IC--IP2726_AA_FBR

: 集成多种协议、用于USBC端口的亚色影库在线免费观看--IP2726

: 集成闪充, Apple? 2.4A, BC1.2充电协议的SOC--IP2191

: 集成USB协议高压快充协议的电源管理SOC--IP2712T

: 用于USB TypeC端口的快.充协议IC--IP2723

: 应用于车载充电器,用于USB端口的快充协议芯片--IP2183

: 集成VOOC闪充, Apple 2.4A, S AMSUNG, BC1.2充电协议的SOC --IP2191

: 5~20V 功率集成USB TYPEC PD2.0/PD3.0 协议用于USB TYPEC 输入端口的亚色影库在线免费观看--IP2721

: 集成10种协议、用于USB端口的快.充协议IC--IP2707

: 2.4A集成10种协议,用于USB端口的亚色影库在线免费观看--IP2703

: 集成8种协议、用于USB 端口的亚色影库在线免费观看 Type-C DFP--IP2701

: 支持DCP充电协议的低内阻限流开关--IP2687

: 集成12 种协议、用于USBC 端口的快充协议 IC--IP2188

: 18W功率控制集成9 种协议、用于USB 端口的快充协议 IC--IP2163

: 集成USB TYPE-C PD3.0、QC3.0/2.0/MTK高.压快充协议的电源管理SOC--IP2716

: 兼容DCP识别功能,高压快充协议的电源管理 SOC—IP2712

: 集成7种协议、用于USB端口的快充协议芯片—IP2161

: QC2.0快充控制IC—RZC7100S(T)

: USB充电端口控制器—RZC7512

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车充

: 集成DCP输出协议的SOC IC--IP6536输出2.4A/3.1A

: 输出22.5W，集成快充输出协议的降压SOC--IP6525S

: 40 V, 2.5 A, 500 kHz同步降压转换器--AP2954

: 集成Type-C PD3.0(PPS)等14种快充协议的降压芯片--IP6527

: 集成双口Type-C PD3.0(PPS)等14种快充协议的输出SOC IC--IP6528

: 输出 3.4A，集成 DCP输出协议的降压SOC--IP6523S

: 集成双口DCP协议的输出SOC IC芯片--IP6515

: 输出2.4A/3.1A，集成DCP输出协议的SOC IC--IP6503S

: 输出18W,集成快.充输出协议(DCP/QC2.0/QC3.0/FCP/AFC)的降压SOC--IP6525T

: 输出3.1A,集成DCP输出协议的SOC IC--IP6503

: 输出18 W,集成Type -C PD输出和各种快.充输出协议芯片--IP6510

: 输出 24W，集成各种快充输出协议—IP6505

: 输出 45W，集成 Type-C PD 输出和各种快充输出协议IC--IP6518

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: 三相半桥驱动芯片-PN7136

: 功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片--PN7719

: 具有低功耗睡眠模式、外部限流可调的两通道直流马达驱动芯片--PN7707

: 基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片--PN7103

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: 具有功耗睡眠模式的两通道马达驱动芯片--PN7705

: 网格状高压力高功率MOSFET--PN7308

: 网格状高功率MOSFET--PN7303

: 三相桥式驱动器--PN7136

: 高压力,高功率MOSFET--PN7106A/B

: 高、低驱动程序高功率MOSFET--PN7113

: 高电压,高功率驱动MOSFET--PN7104

: 网格状亚色影库99久久亚洲--PN7103

: 高、低驱动程序亚色影库99久久亚洲--PN7101

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: 半桥驱动芯片-PN7103

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: 带启动模块准谐振交直流转换芯片--PN8275

: 待机功耗准谐振交直流转换芯片—PN8160

: 36W PWM控制色悠悠-AP8266

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: Dual 1A 1.5MHz同步降压转换器--AT7172

: 1A 1.5MHz降压转换器--AT7170/AT7170E

: 3A降压转换调节器--AT2596

: 600mA辍学率调节器--AT805

: 3A辍学率调节器--AT818

: 300mA低辍学率线性调节器--AT5231

: 500mA CMOS降正电压调节器--AT5250

: 低供应电流Ldo电压调节器的高psrr--AT5221/5221A

: 1A低辍学率精密调节器--AT1117

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IGBT

: 抗干扰能力高智能功率模块--BIPN60015C

: 600V/15A小封装智能功率模块--BIP60015G

: 采用IGBT芯片和FRD芯片的功率模块--BG200B12UY4-I

: 具有开关特性和高短路耐量功率模块--BG150B12UY4-I

: FRD芯片并优化电气连接功率模块--BG150B12UX2S-I

: 采用IGBT芯片/FWD和改进的连接方式--BG100B12UY3-I

: 开关特性和高短路能力IGBT--BG100B12UX3-I

: 低开关损耗及高短路能力IGBT功率模块--BG50B12UX3-I

: 采用IGBT及FRD芯片功率模块--BG150B12UX4-I

: 650V Trench FS技术反并联软快恢复二极管--BGN50T65SD

: IGBT反并联软快恢复二极管--BGN40T65SD

: 具有FS技术的IGBT反并联软快恢复二极管--BGN40Q120SD

: 具有FS技术IGBT--BGN40Q120K

: 反并联软快恢复二极管--BGN30T65SD

: 快恢复反并联二极管--BGF15H60SED

: 内置高压集成电路(HVIC)和自举二极管，可采用单电源驱动IC--BIPN60030C

: 封装小、抗干扰能力强、智能功率模块IC--BIPN60020C

: 内置门极驱动和亚洲导航福利社入口保护用控制IC--BIPN60015C

: 内置LVIC、HVIC，具有欠压、过流保护智能功率模块--BIP60015G

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PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源，输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN801...

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AP2007是一款紧凑型，效率高同步升压转换器，内置功率MOSFET,在关闭输出时实现真正关断功能。AP2007静态电流仅为70uA(典型值)，空载或轻载时，AP2007为节能的PFM工作模式。当负载大于150mA时，采用500KHz固定频率PWM工作模式。内部补偿的电流控制模式实现快速瞬态响应。

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PN8328包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高可靠、隔离双绕组、精简外围元器件的中小功率LED照明，该芯片工作在原边调整模式，可省略光耦、TL431，采用了DMOS自供电的技术可节省变压器辅助绕组和启动电阻。该芯片提供了自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、开环保护、过温保护、Rcs开/短路保...

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PN6370P集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使...

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PN8147T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特...

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PN8145T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和器...

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SVF5N80F/T/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

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PN6370M六级能效集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。

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PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

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PN8135H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特...

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PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8046的降频调制技术有助于EMI特性。

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PN8232是一款高精度的恒压、恒流原边控制器。用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8232工作在原边调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。极低的芯片启动电流能够满足的待机功耗标准...

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PN8135内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特殊...

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PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

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PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器，通过外驱N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管，以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV，控制器驱动外部的功率MOSFET开启；当芯...

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PN7003是一款可以提供大电流输出、方便易用的智能化IGBT驱动，该芯片集成了欠压锁定、过压锁定、IGBT导通时间控制、IGBT SOA保护以及故障后“软关断”等功能，保障IGBT工作。并且PN7003可与MCU进行故障通信，将故障信号反馈给MCU，同时接收MCU唤醒或重置信号。

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PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。

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PN8145内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。

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PN8147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源.

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PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源， PN8044M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于EMI特性。

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