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PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

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PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

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PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器，通过外驱N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管，以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV，控制器驱动外部的功率MOSFET开启；当芯...

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PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。

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PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、导通时间等功...

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PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启...

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PN8308L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308L内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308L集成了辅助功能，包含输出欠压保'导通时间等功能...

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AP2018是一款高功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围2.7V~9V供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压充电端口HVDCP的亚色影库在线免费观看。由于采用电流模PWM控制架构,AP2018在定频时可获得瞬态响应，在轻载时处于PFM模式可获得省电效果。芯片集成了低RDS(O...

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PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳...

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PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306L集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压...

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PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305L处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。

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