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产品分类: 同步整流芯片
    PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度.PN8305L处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。
    订购热线: 400-788-7770
    6级能效标准内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L
    6级能效标准内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L
    PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8306L集成的辅助功能,包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。
    高性能多模式PWM控制芯片--AP8268
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    内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016
    内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016
    PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8016的降频调制技术有助于 EMI特性。

       集成高压启动的高性能同步整流器

      型号: PN8305L

      一、概述

      PN8305L 包括同步整流控制器及 N 型功率 MOSFET ,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8305L 内置电压降极低的功率 MOSFET 以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度 .PN8305L 处于开关工作模式,只适用于 DCM QR 工作模式的开关电源系统。当芯片检测到 VDET<-400mV ,控制器驱动功率 MOSFET 开启;当芯片检测到功率 MOSFET 流过的电流降低到阈值 -10mV 时,控制器驱动功率 MOSFET 关闭。该芯片提供了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、输出过压钳位等功能。内置高压启动电路可支持系统输出电压低至 2V 时, PN8305L 仍能正常工作。

      二、特性

         * 内置 13mΩ/6mΩ 50V Trench MOSFET

         * 内置高压启动电路,适用于低压模式工作

         * 适用于 DCM QR 工作模式

         * 高精度次级电流检测电路

         * 优异全面的辅助功能:

      欠压保护; 过压钳位

      三、应用领域

         5V 电池充电器及适配器

      四、封装 / 订购信息

      五、典型应用电路

        全国咨询热线:400-788-7770

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      PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8306L集成的辅助功能,包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。
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      内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016
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      PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8016的降频调制技术有助于 EMI特性。

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