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一 概述

PN8175集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件简单的交直流转换开关电源。 PN8175内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8175的降频调制技术有助于EMI特性。 (注：可替代进口品牌PI,型号：TNY276,封装形式：DIP,替换说明：兼容，不改PCB,不改外围参数，内阻5欧姆，频率120KHz.)

二 特性

■ 内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 内置高压启动和自供电电路
■ 适用于反激隔离、反激非隔离等多种架构
■ 无需环路补偿
■ 空载待机功耗<50mW@230VAC（VDD辅助供电）
■ 半封闭式稳态输出功率10W@230VAC
■ EMI的降频调制技术
■ 优异的负载调整率和工作效率
■ 较全的保护功能
* 过流保护（OCP）
* 过载保护（OLP）
* 过温保护（OTP）
* 欠压保护（UVP）

三 应用

■ 家电
■ LED照明
■ 工业控制

四封装

五 应用电路图