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产品分类: 隔离式次级反馈芯片
    PN8173集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件的交直流转换开关电源。 PN8173内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护 功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8173的降频调制技术有助于EMI特性。
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    未来难按“瑞士生活水平”单一标准发展 黄循财:凝聚国人找到共同前进方向
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    PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
    视频画报|习近平主席同马克龙总统的“山口会晤”
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    PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。

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      一 概述

      PN8173集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件的交直流转换开关电源。PN8173内置800V启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8173的降频调制技术有助于EMI特性。 (注:可替代进口品牌PI,型号:TNY274,封装形式:DIP,替换说明:兼容,不改PCB,不改外围参数,内阻10欧姆,频率124KHz.)

      二 特性

      ■ 内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET
      ■ 内置高压启动和自供电电路
      ■ 适用于反激隔离、反激非隔离等多种架构
      ■ 无需环路补偿
      ■ 空载待机功耗<50mW@230VAC,VDD辅助供电
      ■ 稳态输出功率8.5W@230VAC, VDD辅助供电
      ■ EMI的降频调制技术
      ■ 优异的负载调整率和工作效率
      ■ 全面的保护功能
      * 过流保护(OCP)
      * 过载保护(OLP)
      * 过温保护(OTP)
      * 欠压保护(UVLO)

      三 应用

      *家电
      *LED照明
      *工业控制

      四 封装

      五 应用电路图

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      PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
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      PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
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