登录|注册 收藏本站 在线留言 联系中铭 网站地图

您好，欢迎访问亚洲导航国 产一区二区久久官方网站！

亚洲导航国 产一区二区久久 亚洲导航国 产一区二区久久

亚色影库在线免费观看

400-788-7770
18923224605

热门关键词： 华南华东IGBT深圳工业智能IGBT公司 华南华东IGBT深圳工业智能IGBT代理 华南华东IGBT工业深圳智能IGBT售后 华南华东IGBT深圳工业智能IGBT售后 华南华东IGBT工业深圳智能IGBT公司 IGBT深圳工业智能IGBT价格 IGBT工业深圳智能IGBT价格 华南华东IGBT工业深圳智能IGBT代理

亚洲导航地址发布页

产品分类： 隔离式原边反馈芯片
    PN6795D集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795D为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现芯片空载损（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振、多模式技术与PWM频率切换技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效，频率抖动技术可实现的EMI特性；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
    订购热线： 400-788-7770
    科技一点通：人工智能最新发展 8world
    科技一点通：人工智能最新发展 8world
    PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
    温暖的“不特殊”，石家庄1593个残疾孩子就读普通学校
    温暖的“不特殊”，石家庄1593个残疾孩子就读普通学校
    PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
    用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
    用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
    PN6147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN6147为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台，非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。

      待机功耗多模式准谐振原边反馈交直流转换器--PN6795D

      (注:用于超声波雾化器使用直流器)

      一 概述

      PN6795D集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795D为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振、多模式技术与PWM频率切换技术清除音频噪声，使得系统满足6级能效，频率抖动技术可实现较好的EMI特性；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

      二 特性

      *内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
      * 内置启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）
      * 支持CCM和DCM两种工作模式
      * 采用准谐振与多模式技术，满足6级能效标准
      * 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
      * 原边反馈可省光耦和TL431

      三 应用

      * 开关电源适配器
      * 机顶盒等外置电源

      四 封装

      五 电路图

        全国咨询热线：400-788-7770

      销售部电话：0769-81150556

      工程部电话：0769-85638990   手机：18923224605  叶小姐

      邮箱：[email protected]  QQ：1923681612   传真：0769-83351643

      总部地址：东莞市大岭山镇矮岭冚村沿河东街8号

      佛山办事处：佛山市顺德区容桂镇细滘德宝北路合安街19号

      中铭官网： www.bsnbp.sbs

      * 表示必填 采购：亚洲导航地址发布页
      * 联系人： 请填写您的真实姓名
      公司名称： 请填写您的公司名称
      联系电话：
      * 手机号码： 请填写您的联系电话
      电子邮件：
      联系地址：
      * 采购意向描述：
      请填写采购的产品数量和产品描述，方便我们进行统一备货。
      验证码： 验证码
      科技一点通：人工智能最新发展 8world
      科技一点通：人工智能最新发展 8world
      PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
      温暖的“不特殊”，石家庄1593个残疾孩子就读普通学校
      温暖的“不特殊”，石家庄1593个残疾孩子就读普通学校
      PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
      用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
      用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
      PN6147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN6147为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台，非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。

      亚洲导航福利社入口

      我要评论:
      内 容：
      （内容最多500个汉字，1000个字符）
      验证码： 看不清？！
      联系中铭
      全国咨询热线：400-788-7770

      销售电话：0769-81150556
      工程电话：0769-85638990

      传真：0769-83351643

      邮箱：[email protected]

      地址：东莞市矮岭冚村沿河东街8号