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产品分类: 隔离式原边反馈芯片
    PN8370P集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370P为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
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    PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
    博物馆日话殷墟
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    PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
    用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
    用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
    PN6147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN6147为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台,非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。

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      一 概述

      PN8370P 集成待机功耗准谐振原边控制器及 650V 高雪崩能力智能功率 MOSFET ,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。 PN8370P 为原边反馈工作模式,可省略光耦和 TL431 。内置启动电路,可实现芯片空载损耗( 230VAC )小于 30mW 。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足 6 级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过 CS 脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和 CS / 短路保护等。

      二 特性

      内置 650V 高雪崩能力智能功率 MOSFET

      内置启动电路,小于 30mW 空载损耗( 230VAC

      采用准谐振与多模式技术,满足 6 级能效标准

      全电压输入范围 ±5% CC/CV 精度

      原边反馈可省光耦和 TL431

      恒压、恒流、输出线补偿外部可调

      无需额外补偿电容

      无音频噪声

      智能保护功能 S

      ² 过温保护 (OTP)

      ² VDD 欠压 & 过压保护 (UVLO&OVP)

      ² 逐周期过流保护 (OCP)

      ² CS / 短路保护 (CSO/SP

      ² 开环保护 (OLP)

      三 应用

      ■ 开关电源适配器

      ■ 电池充电器

      ■ 机顶盒电源

      四 封装

      五 应用电路图

        全国咨询热线:400-788-7770

      销售部电话:0769-81150556

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      PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
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      PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
      用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
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      PN6147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN6147为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台,非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。

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