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一 概述
IGBT in advanced TrenchFS Technology with soft,fast recovery anti-parallel diode.
IGBT在沟道技术中的应用,快恢复反并联二极管.
二 特征
*Low VCEsat(低VCEsat)
*Short circuit withstand time 10μs(短路耐受时间10μs)
*Designed for operation between 1-20kHZ(设计用于1-20kHZ之间的操作)
*Very tight parameter distribution(参数分布紧密)
*High ruggedness, temperature stable behavior(高耐用性,温度稳定性能)
三 封装
全国咨询热线:400-788-7770
销售部电话:0769-81150556
工程部电话:0769-85638990 手机:18923224605 叶小姐
邮箱:[email protected] QQ:1923681612 传真:0769-83351643
总部地址:东莞市大岭山镇矮岭冚村沿河东街8号
佛山办事处:佛山市顺德区容桂镇细滘德宝北路合安街19号
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