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一 概述
PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能良好的保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的良好效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
二 特性
*内置690V高雪崩能力的功率MOSFET
*准谐振工作
*开关频率125kHz
*外围较简,无需启动电阻及CS检测电阻
*高低压脚位两侧排列提高安全性
*内置启动,空载待机功耗<50mW@230VAC
*EMI的频率调制技术
*供电电压8-40V,适合宽输出电压应用
*全面的保护功能
*过温保护(OTP)
*输出过压保护
*输入欠压保护
*逐周期过流保护(OCP)
*输出开/短路保护
*次级整流管短路保护
*过负载保护(OLP)
三 封装
四 应用电路图
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