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一 概述
IGBT in advancedTrenchFS Technology with soft,fast recovery anti-parallel diode.
具有Trench FS技术的IGBT反并联软快恢复二极管.
二 特征
* 650V Trench FS technology
650V Trench FS技术
* Low conduction and switching losses
低导通和开关损耗
* Saturation voltage:VCE(sat), typ=1.6V@IC=50A and TC=25°C
通态压降, VCE(sat), typ=1.6V@IC=50A and Tc=25°C
* Low gate charge
低栅极电荷
三 应用
* Automotive Air-Condition Compressor
汽车空调压缩机
* UPS
不间断电源
* Inverter
变频器
四 封装
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