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产品分类： cool mos管
    SVF5N80F/T/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
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    龙腾N渠道650V,20A超级MOS管--LND20N65/LNB20N65
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    Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.
    龙腾N渠道650V,7A超级MOS管--LND7N65D
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    The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.
    龙腾N渠道650V,16A超级MOS管--LND16N65
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    Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.

      5A 、800V N沟道增强型场效应管 -- SVF5N80F/T/MJ/K

      一、描述

      SVF5N80F/T/MJ/K N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源, DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。

      二、特点

      ∗ 5A ， 800V ， RDS(on)( 典型值 )=1.88Ω@VGS=10V

      ∗ 低栅极电荷量

      ∗ 低反向传输电容

      ∗ 开关速度快

      ∗ 提升了 dv/dt 能力

      三、参数

      四、封装

        全国咨询热线：400-788-7770

      销售部电话：0769-81150556

      工程部电话：0769-85638990   手机：18923224605  叶小姐

      邮箱：[email protected]  QQ：1923681612   传真：0769-83351643

      总部地址：东莞市大岭山镇矮岭冚村沿河东街8号

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