1A 、600V N沟道增强型场效应管
型号: SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
一、描述
SVF1N60AM/MJ/B/D/F/HN 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源, DC-DC 电源转换器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。
二、特点
∗ 1A , 600V , RDS(on)( 典型值 )=6.8?@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
三、最大参数
四、封装
全国咨询热线:400-788-7770
销售部电话:0769-81150556
工程部电话:0769-85638990 手机:18923224605 叶小姐
邮箱:[email protected] QQ:1923681612 传真:0769-83351643
总部地址:东莞市大岭山镇矮岭冚村沿河东街8号
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中铭官网: www.bsnbp.sbs
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