12A 、650V N沟道增强型场效应管

型号： SVF12N65T/F/K/S

一、描述

SVF12N65T/F/K/S N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源， DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。

二、特点

l 12A ， 650V ， RDS(on)( 典型值 )=0.64 Ω @VGS=10V

l 低栅极电荷量

l 低反向传输电容

l 开关速度快

l 提升了 dv/dt 能力

三、最大参数

四、封装